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为手机存储扩容 西部数据推96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘

为手机存储扩容 西部数据推96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘
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2018-10-12 14:56   -Aa +Aa


本周初,西部数据正式推出963D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD-西部数据iNAND MC EU321,旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。

新款西部数据iNAND MC EU321嵌入式闪存盘采用了西部数据公司的963D NAND技术、先进的UFS 2.1接口技术及西部数据公司的iNAND SmartSLC 5.1架构,能够为智能手机、平板电脑和PC笔记本电脑设备提供卓越的数据性能,而且即使设备接近满负荷运行,也能实现出色的移动体验。

随着移动端数据量增加,以及对平衡了功耗和体积因素的性能需求增加,嵌入式闪存盘的性能、数量和容量需求不断快速增长。更多的963D TLC结构,可以在原有的面积上提供最大256GB的存储容量,用单芯片满足市场主流甚至更高的需求。

分析机构Counterpoint Research指出,NAND闪存容量将在2017-2021迎来健康的28%复合年增长率。这个增长主要来自成熟的平板用户升级到大屏、高容量、并具有更强大功能和连接性的产品,因为娱乐和移动生产力讲成为主要的应用场景。

这些数据密集型的应用程序都需要更高的容量和速度,以期为消费者提供理想的移动设备体验。2018年自然年上半年,智能手机总出货的内置存储容量相比起2017自然年上半年同比增加了40%,相当于每台手机51GB ,从而增加了对更高容量和更智能存储技术的需求。

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