NEO半导体公司再次宣布了一项有望彻底改变DRAM内存现状的新技术，展示了两种新的3D X-DRAM单元设计：1T1C和3T0C。这两种一晶体管一电容和三晶体管零电容的设计预计将在2026年生产出概念验证测试芯片，并将提供比普通DRAM模块高出10倍的容量。

基于NEO现有的3D X-DRAM技术，新的单元被宣传为能够在单个模块上容纳512 Gb（64 GB），至少比目前市场上任何商业模块高出10倍。NEO的测试模拟测量出10纳秒的读写速度和超过9分钟的保持时间，这两者也处于当前DRAM能力的前沿。

得益于基于铟镓锌氧化物（IGZO）的设计，1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建：以堆叠设计提高容量和吞吐量，同时保持能效。这些单元是作为修改后的3D NAND工艺设计的，NEO希望现有的3D NAND制造设施能够快速且轻松地升级以制造新的设计。

“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性，”NEO的首席执行官Andy Hsu说。“这一创新突破了当今DRAM的缩放限制，使NEO成为下一代内存的领跑者。”1T1C设计比NEO之前的创新，如更偏向于小众技术的3D X-AI技术，更有可能成为真正的DRAM杀手。

预计NEO半导体将在本月的IEEE IMW上分享更多关于1T1C、3T0C以及其3D X-DRAM和3D NAND系列的信息。随着像基于FeRAM的DRAM+这样的公司和技术也在争夺成为DRAM技术的下一步，以及像SK海力士这样的老牌供应商满足于开发越来越大的标准DRAM，3D X-DRAM面临着一场艰难的战斗。