在韩国首尔举行的AI半导体论坛上，三星透露计划在其HBM4内存中采用混合键合技术，以降低热功耗并实现超宽内存接口。而三星的竞争对手SK海力士，据报道可能会推迟采用混合键合技术。

高带宽内存（HBM）将多个内存芯片堆叠在基础芯片之上。目前，HBM堆叠中的内存芯片通常使用微凸点（用于在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，键合工艺则采用模塑底填料（MR-MUF）或使用非导电膜的热压（TC-NCF）等技术。

这些芯片还通过嵌入每个芯片内的硅通孔（TSV）垂直互连（用于在每个DRAM芯片中传输数据、时钟、控制信号、电源和地线）。然而，随着HBM速度的提升和DRAM芯片数量的增加，微凸点变得效率低下，因为它们限制了性能和能效。

这就是混合键合技术发挥作用的地方。混合键合是一种3D集成技术，通过直接键合铜对铜和氧化物对氧化物的表面来连接芯片，从而消除了微凸点的需求。混合键合支持小于10微米的互连间距，相比传统的基于微凸点的堆叠，它提供了更低的电阻和电容、更高的密度、更好的热性能以及更薄的3D堆叠。

然而，混合键合是一种相当昂贵的技术，尽管所有三大HBM内存制造商都曾考虑将其用于12层HBM3E，但美光和三星最终选择了TC-NCF， SK海力士则选择MR-MUF。对于HBM4，三星计划采用混合键合， SK海力士则正在开发先进的MR-MUF技术，并将混合键合作为备用工艺。

SK海力士可能会继续使用传统的模塑底填料而不是混合键合，原因之一是混合键合所需的专用设备比传统封装工具贵得多，并且需要在晶圆厂中占用更多的物理空间。这影响了资本效率，尤其是在晶圆厂面积有限的情况下。因此，SK海力士正在谨慎行事。如果先进的MR-MUF技术能够提供相同（或类似）的性能结果并获得良好的产量，它将更倾向于继续使用MR-MUF至少再有一代产品。

SK海力士可能会再坚持使用MR-MUF一代的另一个原因是，其先进的MR-MUF能够制造出比上一代底填料更薄的HBM内存堆叠。这使得该公司能够生产出符合JEDEC HBM4规范的16层HBM4堆叠，该规范规定HBM4封装的最大高度为775微米，这比16层HBM3E堆叠的最大高度约800微米略短。如果SK海力士能够使用现有的工具和技术满足JEDEC的规范，这将大大降低该公司采用混合键合的吸引力。

三星拥有自己的晶圆厂设备制造商Semes，这在一定程度上降低了其晶圆厂成本。然而，目前尚不清楚Semes是否能够为其母公司生产先进的混合键合设备。

尽管如此，混合键合是一种未来无论如何都会被使用的技术，因此整个行业都在关注三星是否能够使用混合键合使其HBM4通过认证。成功的认证可能会重塑竞争格局，使三星在性能、热特性和信号密度方面获得技术和商业优势。