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在芯片行业竞争中,三星的位置一直不太理想,其中一部分原因是该公司一直在“不懈地追赶”台积电的工艺技术,牺牲了良率等关键领域。三星代工此前的工艺,例如3纳米环绕栅极(GAA),尽管在技术上是一个有前景的节点,却因良率低而受到打击。三星代工显然意识到了这一点,并正式决定将重心转向通过提高节点的完善度来提高利润率。
据ETNews报道,三星代工部门的副总裁宣布,将在2029年向市场推出1.4纳米工艺,比最初的时间表晚了近两年。计划是专注于现有的2纳米及以下工艺,因为代工部门目前的运营亏损根本无法控制。三星透露,在2纳米工艺上取得了显著进展,并计划实现稳定的良率,使该工艺适合被行业采用。
除此之外,三星代工现在决定通过改进4纳米、5纳米和8纳米等较老的工艺来减少运营亏损,因为尽管这些工艺距离最先进的节点有几年之遥,但在市场上仍有很高的需求。三星显然意识到,鉴于财务状况,它无法与台积电竞争,因此决定利用现有资源来提高利润率。因此,可以说在芯片市场的最顶端,台积电将独自在最先进的节点竞赛中竞争。
据称台积电的 A14(1.4 纳米)工艺将在2028年问世,比三星早一年。到那时,三星可能将局限于2纳米及其衍生工艺,这一举措确实是一个大胆的举动,如果执行得当,很可能会导致该部门的复苏。