在芯片行业竞争中，三星的位置一直不太理想，其中一部分原因是该公司一直在“不懈地追赶”台积电的工艺技术，牺牲了良率等关键领域。三星代工此前的工艺，例如3纳米环绕栅极（GAA），尽管在技术上是一个有前景的节点，却因良率低而受到打击。三星代工显然意识到了这一点，并正式决定将重心转向通过提高节点的完善度来提高利润率。

据ETNews报道，三星代工部门的副总裁宣布，将在2029年向市场推出1.4纳米工艺，比最初的时间表晚了近两年。计划是专注于现有的2纳米及以下工艺，因为代工部门目前的运营亏损根本无法控制。三星透露，在2纳米工艺上取得了显著进展，并计划实现稳定的良率，使该工艺适合被行业采用。

除此之外，三星代工现在决定通过改进4纳米、5纳米和8纳米等较老的工艺来减少运营亏损，因为尽管这些工艺距离最先进的节点有几年之遥，但在市场上仍有很高的需求。三星显然意识到，鉴于财务状况，它无法与台积电竞争，因此决定利用现有资源来提高利润率。因此，可以说在芯片市场的最顶端，台积电将独自在最先进的节点竞赛中竞争。

据称台积电的 A14（1.4 纳米）工艺将在2028年问世，比三星早一年。到那时，三星可能将局限于2纳米及其衍生工艺，这一举措确实是一个大胆的举动，如果执行得当，很可能会导致该部门的复苏。