据此前报道，骁龙8 Elite Gen 2的两个版本正在开发中，其中一个版本采用三星的 2nm GAA（环绕栅极晶体管）工艺，代号为“Kaanapali S”。然而，有传闻称高通可能已经改变了在9月23日骁龙峰会上宣布其旗舰芯片两个版本的计划，因此高通不仅放弃了韩国代工厂三星作为合作伙伴，还移除了8850-S和8850-T的型号标识。如果这一传闻属实，这将是台积电连续第二年独家获得高通旗舰芯片的订单。

一位名为@Jukanlosreve的爆料人在网上分享的消息显示，8850-S和8850-T的型号标识已被移除，其中字母“S”代表三星制造的芯片，而“T”代表台积电制造的芯片。随着这些标识的移除，预计只有SM8850这一个版本将用于未来的旗舰手机，包括此前曾提到将采用2nm GAA工艺量产骁龙8 Elite Gen 2的三星Galaxy S26系列。目前尚不清楚高通为何不再在三星的2nm GAA工艺上下单，但有可能是三星未能解决长期存在的良率问题。

在Exynos 2600的原型量产阶段（上个月开始），三星正在努力将其2nm GAA工艺的良率提升至50%。然而，为了实现量产，良率至少需要达到70%。高通可能已经预见到三星无法实现这一目标。这意味着可能会生产出更多“有缺陷”的骁龙8 Elite Gen 2芯片，从而迫使高通为其合作伙伴提高非分档芯片的单价。

随着SM8850成为唯一版本，高通参考设计芯片（也称为QRD8850）的预计售价将达到15,000 美元，这使得手机制造商测试其未来旗舰手机的成本更高。目前，骁龙8 Elite Gen 2将独家采用台积电的第三代3nm工艺（也称为“N3P”）进行量产。