Exynos 2600目前正处于原型生产阶段，三星利用其2nm环绕栅极（GAA）工艺为即将推出的旗舰SoC带来性能和能效的新突破。以往的Exynos芯片在智能手机中几乎都存在持续过热的问题，即使使用了均热板也没能解决。据报道，三星将引入一种名为 “热传递阻隔”（Heat Pass Block，简称 HPB）的技术，以改善散热，从而使Exynos 2600能够更优地运行。

三星Exynos系列芯片现有的结构是将DRAM直接放置在SoC之上。现在，据ETNews 报道，HPB和DRAM将直接安装在Exynos 2600上，新增的HPB将作为散热器，以实现更好的热量传导。在HPB之上，据称三星还将采用其扇出型晶圆级封装（Fan-out Wafer Level Packaging，简称FOWLP）技术，以提高耐热性并实现更高的多核性能。

这种封装技术首次应用于Exynos 2400，据称三星希望将其引入Exynos 2600，以确保其能够与即将推出的骁龙8 Elite Gen 2和天玑9500保持一定的竞争力。近期的一次Geekbench 6泄露显示，Exynos 2600的最高频率核心运行在3.55GHz，这比天玑9400+中的Cortex-X925要慢。

HPB和FOWLP的存在应该能够让Exynos 2600达到更高的频率，从而实现更好的单核和多核性能，同时保持其温度稳定。温度升高会导致性能下降，这不仅会使设备拿在手中不舒服，还可能对电池造成负担，甚至有爆炸的风险，使其成为一个定时炸弹。

假设三星的2nm GAA工艺能够达到理想的产量，Exynos 2600可能在今年年底前亮相，并及时赶上公司计划在2026年初发布的Galaxy S26系列。