SK海力士与ASML宣布，已在韩国仁川的M16工厂组装了全球首台Twinscan NXE:5200B高数值孔径EUV光刻系统。该设备最初将作为下一代工艺技术的开发工具，但最终将在几年后用于采用尖端工艺技术的DRAM大规模生产。

对于SK海力士来说，组装全球首批Twinscan NXE:5200B EUV系统之一，其配备0.55数值孔径光学元件，意味着它在技术上超越了其主要竞争对手美光和三星，以及整个半导体行业中绝大多数公司，后者仍需采用数值孔径为0.33的现有EUV系统。

“我们期望这一关键基础设施的加入将使我们一直追求的技术愿景成为现实，”SK海力士研发负责人车善泳表示。“我们旨在通过快速发展的AI和下一代计算市场所需的尖端技术，增强我们在AI内存领域的领导地位。”

ASML的Twinscan EXE:5200N配备0.55数值孔径镜头，可实现8纳米分辨率，相比之下，当前低数值孔径（Low-NA）EUV工具的分辨率为13纳米。这使得单次曝光下晶体管尺寸可缩小1.7倍，晶体管密度可提高2.9倍。尽管低数值孔径工具可以通过成本较高的多重曝光技术达到类似的分辨率，但高数值孔径（High-NA）EUV简化了光刻步骤，尽管这也会带来新的技术挑战。

鉴于高数值孔径EUV机器的能力，使得芯片制造商能够避免双次或三次EUV曝光，NXE:5200B最初将被用于加速下一代DRAM的原型开发，这些DRAM将采用依赖于现有低数值孔径EUV和深紫外（DUV）工具的工艺技术制造。只有在那时，该工具才会被用于开发实际需要使用高数值孔径EUV设备以实现适当产量和周期时间的制造工艺。ASML在其为投资者举办的一次演讲中估计，DRAM制造商将在2030年代转向高数值孔径EUV工具。

快速原型开发极大地加速了下一代工艺技术的开发。高数值孔径EUV机器使得DRAM结构（例如，电容沟槽、位线、字线）的详细原型开发速度比现有低数值孔径EUV工具更快，这为SK海力士的研发提供了关键的助力。

从长期来看（到2030年代），SK海力士可以利用这一工具测试图案化的极限，开发新的布局，并评估其将需要的用于强制使用高数值孔径EUV工具的制造节点的新材料，这比需要完全转向基于高数值孔径EUV的生产要提前得多。