近日，西部数据与铠侠联合研发出第六代162层3D闪存技术。其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%。与112层堆叠技术相比，能够使晶圆尺寸减小约40%，从而优化了成本。

据悉，第六代3D闪存技术采用超越传统八层交错式存储孔阵列的领先架构，其横向单元阵列密度比第五代技术提高了约10%。与112层堆叠技术相比，这种横向扩展技术上的提升，结合162层堆叠式垂直存储器，能够使晶圆尺寸减小约40%，从而优化了成本。

西部数据与铠侠团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作，与上一代产品相比，程序性能可提高近2.4倍，读取延迟减少约10%，I/O性能也提高了约66%，使得下一代接口能够满足不断增长的对更高传输速率的需求。

总体而言，与上一代产品相比，新的3D闪存技术降低了单位成本，并使每个晶圆的制造位增加了高达70%。

从2020年Q4的全球闪存趋势来看，整体价格下滑是主旋律，环比Q3下滑了3.3%。而全球排名前六的厂商均在Q4中出现营收减少的情形。此次西部数据与铠侠联合研发出第六代162层3D闪存技术，简单来看就是使得容量增加而相应成本与上一代持平的状体，从而优化成本实现最终的价格降低。闪存市场是时候需要新技术来刺激一下了。