对于代工厂商而言，率先将先进工艺量产，并且保证性能稳定是抢占市场份额的关键。比如在14nm制程时代，三星就是因为取得了FinFET工艺领先，抢走了台积电手中苹果这个大客户的订单。而在最新一轮竞争中，3nm制程大战即将来到。

在7nm/5nm竞争变为历史之后，能站在3nm制程战场的就剩下三星与台积电两家代工厂。上周三星在代工论坛2021大会表示，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

三星称：3nm将采用全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术。相比于FinFET晶体管技术，GAAFET 架构的晶体管提供更好的静电特性，这样漏电功率会降低，从而功耗降低。三星还表示，与5nm制程相较，GAA 制程技术将使得芯片面积可再减少35%，性能可提高30%或功耗降低50%。

面对三星这样通过走险棋（采用新技术）来博眼球，台积电自然不甘示弱。近日，CEO魏哲家最新公开表示N3 3nm工艺将是N5 5nm之后的全新节点，号称经过密度可增加70％，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，并且使用更多层的EUV光刻(不低于N5 14层)，因此更加复杂化，整个工艺流程的工序超过1000道。

N3还会衍生出一个N3E版本，可以视为增强版，有更好的性能、功耗、良品率，同时设计和IP上完全兼容N3，2024年量产。

那么好戏即将开始，我们静观其变就好。最后多说一句，有消息称台积电曾有消息流出2nm制程将于2024年量产，还会考虑采用GAAFET技术，不过目前给到的消息是将延迟到2025年量产，看来就算年收入增长15%以上的台积电也要慎重考虑高昂成本问题。