因受到西方国家的联合制裁，多个芯片企业已停止向俄罗斯交付产品与提供支持，此外俄国自身的晶圆制造也受到了制裁的影响。但科技发展的动力不能停滞，因此俄国开始制定投资计划，预计在2022年底前实现量产90nm工艺制程。

据悉在半导体制造技术方面，俄罗斯计划投入4200 亿卢布（约52 亿美元） 用于新的制造技术及后续的提升。短期目标是在2022 年底前达成以90nm制程来提高芯片的产量。到2024年，所有数码产品都能在俄罗斯国内生产。另一个更长期的目标，则是到2030 年建立基于28nm制程工艺节点的芯片制造。

与多数国家在软件和高科技服务方面优势明显，但在芯片设计和制造方面相对落后的情形一致。由于美国政府的技术限制，在爆发俄乌战争之前俄罗斯仅能制造老旧的成熟制程芯片。

想要实现芯片自研且量产，首先要搞定光刻机。俄罗斯政府首期投资6.7亿卢布资金（约合5100万元人民币），研发的光刻机计划达到EUV级别，但是其采用的并不是EUV光刻，是基于同步加速器和/或等离子体源的无需掩模的“X射线光刻机”。

即便是俄罗斯可以实现光刻机的生产，但想要实现芯片量产的全面国产化也是十分艰难的。比如我国提早就有相关技术的研发，但目前来讲在先进工艺制程上仍举步维艰。

据悉，我国中芯国际来自90nm及以下制程的晶圆代工业务营收比例为62.5%。其中，55/65nm技术的收入贡献比例为29.2%，40/45nm技术的收入贡献比例为15%，FinFET/28 nm的收入贡献比例为15.1%。进军14nm以及量产仍是中芯国际的目标。

尽管在全球知名软件诸如：卡巴斯基、大蜘蛛、WinRAR、7-zip等都是由俄罗斯的程序员编写，并被全球广泛应用。但软件的优势无法弥补实际先进工艺制程无法量产的遗憾。所以，短期内俄罗斯要在半导体行业继续发展，可能更多的要依靠来自中国的协助了。