全球半导体供应短缺，再加之各大芯片厂商产品迭代需求强劲，使得晶圆代工厂产能持续吃紧。因良品率低、能耗比缺陷，三星在4nm工艺受挫，不过面对美国总统拜登的访韩事件，三星期待通过展示其3nm工艺GAA技术，得到美国企业的认可。另一方面，台积电按照自己的战略布局，稳扎稳打的将3nm工艺量产，并尝试在全球多个地区选址扩建工厂。

有消息称，美国总统拜登将在本周访问三星平泽园区，而届时三星将展示其3nm芯片技术，并声称3nm GAA工艺有望很快开始量产。

早在2021年6月，就传出采用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术的三星3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步。但流片成功是一回事，但实际量产又是另一个纬度。有韩国媒体报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率仅有10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。

台积电3nm工艺预计2022年下半年实现量产，并继续采用相对成熟的FinFET（鳍式场效应晶体管）技术。相信除去苹果与NVIDIA这两位有实力的客户外，英特尔与AMD也在争取台积电3nm先进工艺的产能。

面对产能的不足，台积电正在考虑全球新建厂房。有消息称，台积电正在考虑在新加坡建立一家芯片制造厂，而这家新工厂预计生产7至28nm的芯片，这是台积电的上一代芯片制程，生产的产品主要用于汽车、智能手机和其他消费电子。

台积电近期一直在努力扩大其全球足迹，其中包括计划未来在美国亚利桑那州建设新工厂，此前该公司还计划未来在日本建设一家工厂。

面对全球晶圆产能的持续吃紧，半导体行业还是期待三星7nm以下更先进工艺的良品率与性能尽快恢复，这样才可避免台积电一家独大从而造成垄断的可能。