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4亿美元的ASML High-NA 版 EUV 光刻机,并不愁买家…

作者:原创

ASML第一代EUV光刻机售价约1亿美元,目前以4亿美元标价的新一代High-NA 版 EUV 光刻机诞生,原型机预计最快2023年发布。有消息指出,通过ASML新一代High-NA 版 EUV 光刻机所生产芯片与上代技术相比,性能提升与功耗较低的表现之外、有望将芯片尺寸降低66%。

折合约26.7亿元人民币的High-NA 版 EUV 光刻机,可是诸如台积电、英特尔、三星等芯片巨头们的心头好,毕竟截止2022年,全球晶圆代工厂才能量产到3nm工艺,想要突破工艺制程上的桎梏,更高级别EUV光刻机是关键。而对于ASML来讲2024年提交至少5份“试点机器”订单,这其中第一台要交付给英特尔。

4亿美元的ASML High-NA 版 EUV 光刻机,并不愁买家…


实际上,ASML团队进行EUV技术迭代的核心,依然围绕着缩小晶体管体积、增加同尺寸内的晶体管数量,借此推动半导体硅基芯片的性能提升。此次新一代High NA EUV光刻机可以减少对微电路的绘制次数。其特点是将透镜的数值孔径(NA)从0.33提高到0.55。这就减少了刻有电路图案的掩模的数量,从而降低了成本并缩短了工艺时间。

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当然,对于晶圆代工厂而言如此高昂EUV光刻机的投入费用是要分摊到客户订单总价中的。所以未来采用先进制程芯片的相关设备涨价是无疑的了。


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