根据之前消息曝光，台积电3nm制程工艺将于2022年底量产，不过良品率与成本的大幅上升让台积电的客户选择上相当谨慎。近日，台积电公布其2nm制程路线图，最大亮点就是取代FinFET（鳍式场效应晶体管）后采用纳米片电晶体（Nanosheet），相较于N3，在相同功耗下，速度提升10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

从台积电这几代工艺制程的性能、功耗对比来看，2nm工艺相对于3nm工艺保持着台积电自己的节奏。而在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

根据台积电最新技术路线图，N2将于2025年量产；同时而3nm也会比较长寿，除了2022年底的量产外，后续还有N3E、N3P和N3X。

对于生产更先进制程的2nm工艺，势必要引进最新EUV光刻机。台积电研发高级副总裁米玉杰在硅谷在近日举行的台积电技术研讨会上表示：“台积电将在2024年引入高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机，以开发相关的基础设施和客户所需的曝光解决方案，继续推进创新。”

对于这款高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机，有关注近期科技圈动态的朋友们不陌生，不久前英特尔曾宣布阿斯麦（ASML）的首台高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机已被其收入囊中，准备在2025年生产更先进制程芯片。

随着英特尔进入芯片代工市场，势必要与台积电争夺客户。业界正密切关注哪家公司会在开发下一代芯片技术上拥有更多优势。毕竟除了在手机、笔记本电脑等高精尖的科技产品中需要使用更先进微型集成电路，诸如汽车和智能音箱等设备的计算芯片也有此类需求。