前几天的技术论坛上，全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图，其中N3工艺就有4种之多，2025年将推出N2工艺，用上GAA晶体管技术。但是N2工艺的密度提升挤牙膏了，仅提升了10%，远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求。

之前有消息称，台积电在3nm量产之后就会大量资金投资以扩大N2产能布局，预计将在2024年试产，2025年开始量产。不过N2工艺的难度显然成了一个挑战，这让台积电未来的密度提升越来越难，性能提升更是只有10%左右，不及台积电之前N5工艺升级到N3E时令人兴奋。

不过对竞争对手来说，台积电这次的挤牙膏让他们窃喜，有了追赶的机会。不仅Intel的20A/18A工艺会在2024-2025年对台积电N2带来压力，更大的麻烦还有三星，三星使用GAA晶体管比台积电还要激进，3nm工艺上就会使用。

根据三星的计划，3nm GAA工艺预计会在6月份就试验性量产，相比5nm工艺，该工艺的性能提升15%，功耗降低30%，芯片面积减少35%。