最近举行的ITF World 2023大会上，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher首次公开介绍英特尔未来采用新一代GAA设计的堆叠式CFET晶体管架构。率先采用GAA设计的三星公司，已经在2022年宣布量产N3工艺芯片，并且早以布局GAA设计的N2工艺芯片。

之前英特尔曾确认过Intel 20A工艺上，将引入采用Gate All Around（GAA）设计的RibbonFET晶体管架构。从上述PPT内容可知，新一代晶体管架构将会在2024年亮相。

英特尔介绍：下一代GAA设计的堆叠式CFET晶体管架构，会允许堆叠8个纳米片，是RibbonFET使用的4个纳米片的两倍，从而增加了晶体管密度。CFET晶体管将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起，以实现更高的密度。目前英特尔正在研究两种类型的CFET，包括单片式和顺序式，似乎未确定最后采用哪一种，或者还会有其他类型设计出现，仍是未知数。

对于GAA设计，三星曾表示与之前的5nm芯片节点相比，N3工艺GAA技术的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面积减少了45%。三星电子此前表示，计划从2025年开始量产基于GAA架构的N2芯片。

哪家晶圆/芯片厂商率先量产最新工艺制程，就意味着掌握了代工行业的主动权。因此三星、台积电包括英特尔都在不断曝光自家有关最新工艺的进展与未来发展趋势。从2022年Q4全球晶圆代工营收排名来看，台积电依旧独领风骚。不过在量产不同阶段N3工艺的各种报道中，也能感受到成本高、良率低、客户寥寥的现状。所以相信英特尔的先进制程研发道理也会同样荆棘，只盼早日量产，造福广大用户。