几天前的ITF World 2023大会上，英特尔首次公开未来采用新一代GAA设计的堆叠式CFET晶体管架构。台积电也在近日的2023欧洲技术研讨会活动中，介绍了其未来的GAAFET及CFET晶体管技术。

英特尔介绍：下一代GAA设计的堆叠式CFET晶体管架构，会允许堆叠8个纳米片，是RibbonFET使用的4个纳米片的两倍，从而增加了晶体管密度。CFET晶体管将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起，以实现更高的密度。目前英特尔正在研究两种类型的CFET，包括单片式和顺序式，似乎未确定最后采用哪一种，或者还会有其他类型设计出现，仍是未知数。

台积电透露其CFET晶体管已经进入到实验室，正在进行性能、效率和密度的测试，与GAAFET相比，这几方面都会更有优势。不过CFET需要一些额外的制造步骤，才能使芯片按预期工

作，就比如需要使用高精度和高功率的High-NA EUV光刻机来制造。

不过按照台积电之前使用FinFET晶体管有着十年的历史来看，GAAFET晶体管架构也应该也使用几代产品中，因此最新CFET晶体管何时商业落地应该是很遥远的事情了。