奇谱科技 奇谱科技

CHIP奇谱
关注产品与技术 分享体验与新知
广告

台积电A16制造技术浮出水面,并非使用High-NA EUV光刻机

作者:原创

2024年2月英特尔发布了14A制造技术首秀,并称在首次采用High-NA EUV光刻机下制造出的该节点芯片将超越台积电。近日,台积电宣称全新名为A16的芯片制造技术将于2026年下半年生产,要与英特尔A14制造技术展开竞争。

在台积电官方介绍中提及A16特性集中在:1因采用背部供电解决方案后可实现诸如提高逻辑密度与性能、改善电力输送并减少红外线下降、保留栅极密度和设备调制灵活性;2更适合HPC产品;3、产品量产预期在2026年下半年。

值得注意的是,台积电A16芯片制造工艺的新特性中所提及的从芯片背面为计算机芯片供电技术,会更有助于加速人工智能芯片。但官方介绍详情内容比较少。

而英特尔早在2023年6月公布独家BS PDN背面供电网络技术——PowerVia,并宣称将在英特尔A20、A18工艺节点上使用。

根据官方测试显示,英特尔平台电压下降改善达30% 以上,E核频率提升高达6%。从上述对于外界公布的信息来看,英特尔无疑是占据了优势,令业界更为信服。

但台积电高层也表示A16 芯片并不需要使用 ASML 的新型 "High NA EUV "光刻工具机来制造。但几天前英特尔透露,它们花费3.73亿美元的该设备已经到达英特尔工厂并开始组装,首发将用其来开发英特尔14A芯片。

从2023年Q4全球晶圆代工企业营收排名来看,台积电依旧凭借超60%的市场份额排名第一,巨头头衔难以撼动。所以,面对与台积电的重重挑战,英特尔最好的证明就是在2027年前拿出与自家主题演讲相匹配的芯片实物。



赞(0)
未经允许不得转载:奇谱科技 » 台积电A16制造技术浮出水面,并非使用High-NA EUV光刻机
分享到:
广告