三星电子第一季度营业利润为6.61万亿韩元（约合人民币348亿元），同比猛增931.87%，销售额为71.92万亿韩元，同比增长12.82%。一季度利润激增主要得益于人工智能（AI）拉动的广泛支出。

花旗分析师表示，由于人工智能计算的需求，他们认为三星的NAND闪存业务将出现上行空间。NAND是与DRAM并列的另一种主要存储芯片。随着大模型变得越来越复杂，数据集变得越来越大，这些模型需要具有更高容量和更快速度的存储芯片来满足这些工作负载。存储将成为人工智能计算的下一个瓶颈，特别是在AI训练方面。三星电子将成为主要受益者之一。

据悉，三星电子已开始量产其第9代V-NAND内存。这是第一款基于最新NAND技术的芯片，采用三层单元（TLC）架构，容量为1Tb，数据传输速率高达3.2GT/s。新的3D TLC NAND内存将用于构建高容量和高性能的SSD，这将有助于巩固三星在存储市场的地位。

三星表示，其第9代V-NAND内存的比特密度比其第8代产品提高了约50%。凭借其最新的NAND技术，三星还能够消除虚拟通道孔，从而减少存储单元的平面面积。

最新的V-NAND还引入了更快的NAND闪存接口Toggle DDR 5.1，可将峰值数据传输速率提高33%，达到3.2 GT/s，即单个芯片的近400MB/秒。此外，据三星称，第9代V-NAND的功耗降低了10%。三星推出1Tb TLC V-NAND 之后，将于今年晚些时候发布四级单元（QLC）型号。

“我们很高兴能够推出业界首款第9代V-NAND，这将带来未来应用的飞跃，”三星电子存储器业务闪存产品与技术负责人SungHoi Hur说。“为了满足对NAND闪存解决方案不断变化的需求，三星为我们的下一代产品突破了单元架构和运营方案的界限。通过我们最新的V-NAND，三星将继续引领高性能、高密度固态硬盘（SSD）市场的趋势，以满足下一代人工智能的需求。