英特尔前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）加入xLight，担任董事会执行董事长。这是一家开发自由电子激光（FEL）技术作为极紫外（EUV）光刻系统光源的初创公司。

使用粒子加速器为光刻机生成光已经有过讨论，但xLight声称它可以在2028年生产出这样的光源，同时保持与现有工具的兼容性。

基辛格在LinkedIn的一篇帖子中写道：“作为我在Playground Global的新角色的一部分，我加入了xLight，担任董事会执行董事长。”“我将与Nicholas Kelez和团队密切合作，通过利用粒子加速器技术，打造世界上最强大的自由电子激光器（FEL）。

极紫外（EUV）光刻是一种用于半导体制造的先进技术，用于在硅片上创建极小的电路图案（高NA EUV的分辨率为8纳米，低NA EUV的分辨率为13纳米左右），它使用波长为13.5纳米的极紫外光。目前，只有ASML能够制造EUV光刻系统，这些系统采用一种复杂的方式产生波长为13.5纳米的光。

制造波长极短的光以生产分辨率为8纳米至13.5纳米的芯片有不止一种方法。其中一种方法是使用粒子加速器作为激光等离子体（LPP）光源。根据基辛格的帖子，xLight已经制造出一种LPP光源，其功率是目前最先进的系统的4倍。ASML的Twinscan NXE:3600D配备了250瓦的LPP光源，而NXE:3800E则配备了约300瓦的光源。

尽管ASML在研究环境中已经展示了超过500瓦的EUV光源功率，但这些更高的功率水平尚未在商业部署的系统中实现。ASML仍在努力提高EUV光源功率，计划将输出功率翻倍至600瓦，并且其路线图延伸至超过1000瓦。

xLight和基辛格声称该公司目前拥有一种功率超过1000瓦的LPP光源，并且将在2028年准备好用于商业应用。基辛格表示，xLight的技术将每片晶圆的成本降低了大约50%，并将资本和运营成本降低了3倍，这是制造效率的重大飞跃。这可能意味着与ASML今天的机器相比，基于FEL的光刻工具成本将大幅降低。

此外，xLight并不打算取代ASML的EUV光刻工具，而是生产一种“将在2028年连接到ASML扫描仪并运行晶圆”的LPP光源。这可能意味着xLight的LPP光源将与现有的ASML工具兼容。