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英特尔前CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)加入xLight,担任董事会执行董事长。这是一家开发自由电子激光(FEL)技术作为极紫外(EUV)光刻系统光源的初创公司。
使用粒子加速器为光刻机生成光已经有过讨论,但xLight声称它可以在2028年生产出这样的光源,同时保持与现有工具的兼容性。
基辛格在LinkedIn的一篇帖子中写道:“作为我在Playground Global的新角色的一部分,我加入了xLight,担任董事会执行董事长。”“我将与Nicholas Kelez和团队密切合作,通过利用粒子加速器技术,打造世界上最强大的自由电子激光器(FEL)。
极紫外(EUV)光刻是一种用于半导体制造的先进技术,用于在硅片上创建极小的电路图案(高NA EUV的分辨率为8纳米,低NA EUV的分辨率为13纳米左右),它使用波长为13.5纳米的极紫外光。目前,只有ASML能够制造EUV光刻系统,这些系统采用一种复杂的方式产生波长为13.5纳米的光。
制造波长极短的光以生产分辨率为8纳米至13.5纳米的芯片有不止一种方法。其中一种方法是使用粒子加速器作为激光等离子体(LPP)光源。根据基辛格的帖子,xLight已经制造出一种LPP光源,其功率是目前最先进的系统的4倍。ASML的Twinscan NXE:3600D配备了250瓦的LPP光源,而NXE:3800E则配备了约300瓦的光源。
尽管ASML在研究环境中已经展示了超过500瓦的EUV光源功率,但这些更高的功率水平尚未在商业部署的系统中实现。ASML仍在努力提高EUV光源功率,计划将输出功率翻倍至600瓦,并且其路线图延伸至超过1000瓦。
xLight和基辛格声称该公司目前拥有一种功率超过1000瓦的LPP光源,并且将在2028年准备好用于商业应用。基辛格表示,xLight的技术将每片晶圆的成本降低了大约50%,并将资本和运营成本降低了3倍,这是制造效率的重大飞跃。这可能意味着与ASML今天的机器相比,基于FEL的光刻工具成本将大幅降低。
此外,xLight并不打算取代ASML的EUV光刻工具,而是生产一种“将在2028年连接到ASML扫描仪并运行晶圆”的LPP光源。这可能意味着xLight的LPP光源将与现有的ASML工具兼容。