美光本周宣布，已经开始向主要客户发送下一代HBM4内存的样品。这种新型内存面向下一代AI和高性能计算（HPC）处理器，容量为36GB，带宽高达2TB/s。

美光的HBM4首批样品是12层堆叠的设备，包含36GB内存，采用2048位宽接口，数据传输速率约为7.85GT/s。这些样品使用了美光基于1β（1-beta）DRAM工艺技术制造的24GB DRAM芯片，以及台积电使用其12FFC+（2nm级别）或N5（5nm级别）逻辑工艺技术生产的逻辑基底芯片。

美光当前一代的HBM3E内存也提供高达36GB的容量，但其接口宽度为1024位，数据传输速率为9.2GT/s，因此其峰值带宽为1.2TB/s。相比之下，美光的新型HBM4内存带宽提高了超过60%，并且能效提高了高达20%。此外，美光的HBM4还内置了内存测试功能，以简化合作伙伴的集成工作。

美光是行业内首家正式向合作伙伴提供HBM4内存模块样品的DRAM制造商，不过预计其他制造商（如三星和SK海力士）也将很快推出类似产品。美光及其他内存制造商计划在2026年开始量产HBM4，届时领先的AI处理器开发商也将开始量产其下一代处理器。

预计英伟达代号为“Vera Rubin”的数据中心GPU将成为首批在2026年底采用HBM4的产品之一，但它们肯定不会是唯一使用HBM4的AI和HPC处理器。