Sandisk闪迪公司正式宣布与SK海力士签署谅解备忘录，双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）技术规范。这项新兴技术旨在为下一代人工智能推理提供突破性的存储容量和性能支持。这是首次有行业力量认真推动将闪存与类似DRAM的带宽整合到单一存储架构中，有望彻底变革AI模型在大规模场景下对数据的访问和处理方式。

随着AI模型不断扩展并日趋复杂，其推理工作负载对带宽和内存容量的需求大幅提升。HBF技术专为满足大型数据中心、小型企业以及边缘应用中的AI推理工作负载需求所设计。与完全依赖DRAM的传统HBM不同，HBF用NAND闪存替换了部分内存堆栈，以换取更高的容量和非易失性，尽管这可能会带来一些延迟上的增加。这种方法使得HBF能够提供比基于DRAM的HBM高出8-16倍的容量，成本相当的同时，仍能达到类似的带宽水平。

闪迪HBF技术基于先进的BiCS技术和其自主研发的CBA晶圆键合技术，并于过去一年内在AI行业参与者的支持下进行开发。该项技术在FMS 2025上荣获“杰出展示奖：最具创新技术”。闪迪公司预计，首批HBF产品将于2026年下半年出样，同时首款搭载HBF技术的AI推理设备将于2027年初出样。

闪迪近日宣布成立技术顾问委员会，为其开创性的HBF技术提供发展与战略指导。该委员会由来自公司内部与外部的行业专家以及资深技术领袖组成，将提供战略指导、技术洞察与市场前瞻，并构建以相关技术标准驱动的生态系统。