据韩媒ZDNet Korea报道，长江存储正在和长鑫存储合作，计划联合开发 DRAM 和 HBM产品，共同推动HBM3及更高版本的发展。

该报道称，长江存储计划不久后投资DRAM领域，并建立相关技术以推动自身进入HBM生产，它还计划与长鑫存储合作开展这一项目。长鑫存储被认为是中国迄今为止最大的DRAM制造商，专注于生产HBM2及以下产品。据称，长鑫存储也在快速向HBM3迈进。

长江存储期望长鑫存储向他们提供诸如混合键合等技术，这将使他们能够加快迈向基于DRAM的HBM解决方案的进程，而这里的优先事项显然是扩大生产能力。在美国实施出口管制之前，长江存储被认为是全球最大的NAND生产商之一，并且该公司曾与三星合作。

这种合作关系可能会威胁到韩国的竞争对手，例如三星。尽管三星在知识产权和技术方面处于领先地位，但可能会受到中国存储芯片制造商快速发展的冲击。