能出产UFS 3.1手机闪存并非三星电子一家，但大规模量产目前只有这一家。

上个月，有数码博主提出今年旗舰安卓手机的标配是：骁龙865 5G+LPDDR5+UFS 3.1组合，而如今三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存，写速达1.2GB/s、3倍于UFS 3.0。

相较上一代，eUFS 3.1闪存的写速提升了200%，达到1200MB/s，与PC端传统SATA3 SSD（540MB/s）和UHS-I microSD存储卡（90MB/s）相对比，更是突破性的升级，可消除8K、5G时代下的存储瓶颈。

不过，很多网友在欣喜于创新科技带来速度的提升外，产能是他们更关注的问题，毕竟近日有报道称：韩国三星电子厂区内接连出现新冠肺炎确诊患者，三星电子龟尾工厂已经出现了第三次停产情形。

面对疫情的困扰以及产能的质疑，三星电子透露到：其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND（9x层），韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产，以满足日益增长的市场需求。