11代酷睿，特别是高性能的H系列产品规模上市以来，PCI-E 4.0接口的SSD变得更为实用。然而，高性能主控+大容量DRAM缓存的产品，如三星980Pro（OEM型号为PM9A1、西部数据Black SN850固然性能可人，但是价格和发热着实不是主流产品可以承受的，入门及PCI-E 4.0产品必然大行其道，以西部数据SN750 SE为代表的DRAMless的产品开始大量涌现。

日系SSD大厂浦科特（Plextor），面向PCI-E 4.0时代，先后祭出了M10系列的M10P和M10eGN两款产品，前者争面子、后者争市场，512MB产品价格分别只要600元和400元，性价比大杀四方。

M10eGN性价比的来源，一方面是DRAMless结构，另一方面是SMI（慧荣）SM2267XTV这款高性能低成本主控的贡献。这一型号的主控与常见的SM2267XT有何渊源，SMI官方并未说明，预计与制程改进有关。512GB版本的M10eGN的PCB布局公版相同，且仅留有一颗NAND芯片安装位置；1TB版则采用了特殊的倾斜主控布局、两颗112层的BiCS5 3D TLC NAND颗粒。

从SMI公布的SM2267XT的性能参数来看，它与Phison（群联）E19T性能表现如出一辙，再加上作为铠侠子公司的浦科特用BiCS5产品再合理不过，M10eGN与西部数据SN750 SE正面交锋不可避免。

最大3600MB/s的读性能，未超过PCI-E 3.0 x4接口的极限，而PCI-E 4.0 x4接口为M10eGN带来的延迟减少，能够在很大程度上弥补没有DRAM缓存的不足。

在11代酷睿H笔记本电脑上，M10eGN的PCI-E 4.0接口信息未被正常识别，只有速度能够证明其实际接口速度。

在CryctalDiskMark 7.0.0中，M10eGN的极限性能被充分发挥，达到了3600MB/s读、2200MB/s写速度，422k IOPS和400k IOPS的读写I/O性能，均接近标称值。如果在PCI-E 3.0接口，读速度峰值不超过3000MB/s，I/O性能损失更多。

极限读写吞吐速度测试是不讲求读写队列深度的，而恰恰是这一方面，对DRAM和SLC缓存配备状态十分敏感。队列深度为4时，M10eGN基本达到性能峰值，特别是写速度在32KB时即达峰，而读速度峰值略晚；更小的数据块读写峰值速度几乎相同，这也是DRAMless的特点。

除了发挥稳定的性能，M10eGN的另一大稳定就是运行状态了。和动辄8通道的高性能产品相比，处理4通道读写的2267TX有着更低的发热和更稳定的性能发挥。实际测试中，即便没有安装散热片，芯片表面温度最高也仅有61℃，远未达到过热降速的程度；制程更高的NAND芯片也是如此，表面温度仅35℃左右，整个SSD均无需专门散热，就能保持稳定性能输出。

在低温的同时，M10eGN（512GB）的峰值功耗仅有1.7W，对笔记本电脑的续航表现提升很有帮助。

高性价比，再加上低温低功耗，M10eGN在主流以及超薄笔记本电脑上有着广阔的应用前景。只是由于前期预留PCI-E 4.0接口的笔记本电脑多数定位不低，因此除了为了容量，否则很难放弃原配的高性能SSD。因此，M10eGN更多的机会，是为老接口笔记本电脑升级，或预装载新款主流机型上。对前者来说，更看重M10eGN在PCI-E 3.0接口下性能，使用新平台、新技术的M10eGN毫不吃亏；对后者来说，PCI-E 4.0接口的噱头，不错的性能表现、超低的价格，也是足够吸引人的。